100% 발광효율을 바꾸는 획기적인 방법
빛으로의 변환효율이 25%라는 것은 75%를 빛으로 쓰지 못하기 때문에 큰 손실이 아닐 수 없다. 그러나 만약 인광 여기상태로부터 열이 아닌 빛이 나온다면 전자가 전부 빛으로 변할 수 있게 된다. 이처럼 형광밖에 내지 못하는 유기물질(형광 물질)이 아니라 인광을
Source: Waltz (1979))
The distinction between classical realism and neo-realism can be featured as the table below. According to Lamy (2008), neo realism is different from classical realism in several aspects. In terms of international politics, neo realist thinks that it is affected by structure of anarchic system. However, classical realists see international politics as action and interact
1. 환경과 조명
과거 에너지 파동을 겪으면서 다양한 에너지 절약 대책이 발표되고 조명 분야에 있어서는 “한 등 끄기”, “심야 사무실 조명 소등” 등이 실천되었다. 이러한 활동은 상당한 에너지 절약을 하게 되었고, 현 지방 자치 단체에서는 간선도로의 가로등 소등과 같은 에너지 대책 방안을
light는 獨逸語 Licht, Netherlands語 licht 등과 유사하다. 다음 수사(Numeral)들의 예들을 비교해 보면 더욱 명백해 진다. 언어간의 유사성에 대한 연구는 Sanskrit의 발견으로 18세기와 19세기에 걸쳐 많은 연구가 있었다. Sanskrit는 영어나 Gothic, Latin, Greek등과 매우 유사성을 가지고 있었다. 그 예로 Old English : eom(am),
Ⅰ. IR분광(적외선스펙트럼)의 역사
1800년 영국의 F.W.Herschel에 의해 Dispersion IR Spectrometer개발되었다. Prism대신 Grating을 이용하게 되고 개발된 Filter나 반도체 등의 이용으로 점진적 발전하여 최근 컴퓨터 발전에 힘입어 Fourier transform IR이 개발되었으며 이는 적외선 분광장치의 크나큰 변혁이었다. 1969년
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in his if not "the big black", a system of cages in an enclosed space, in darkness. As a setting, lines of flight and a very baroque neon chandelier designed by Leo Carbonnier (photo Charles Duprat). "I work on the ground just like the artists of the past. However, the reasons differ, I am inspired by what produces the world today: Machiavellianism, discharge, psychopathy and s
Light-Emitting Diode) 기술의 이해
1) LED의 정의
근래 들어 TV, 신문, 잡지 등 많은 곳에서 LED라고 부르는 발광(發光) 다이오드에 관한 내용을 쉽게 접할 수 있다. LED는 조명 분야에서 획기적으로 전력 소모를 줄일 수 있어 기존의 백열등이나 형광등을 대체할 차세대 기술이며, 우리가 휴대폰, TV, 컴퓨터 모니
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
light. The part of unexposed removes because of negative PR.
○ Wet etching
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2
⦁SiO2 that does not have PR is removed by wet etching and also remaining PR is removed by acetone.
Source Drain Opening
○ SiO2 Deposition ( 100nm ) ○ PR(positive) Coating
SiO2
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2